| 代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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①一般在新一代HBM产品面世之前 ,供应商往往会下调前代产品价格,因此本次涨价较为罕见。②除了英伟达之外,来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加 。③美光此前透露 ,2026年全年HBM已全部售罄。
据韩国《朝鲜日报》今日消息,三星电子 、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格,涨幅接近20%。一般而言,在新一代HBM产品面世之前 ,供应商往往会下调前一代产品价格,因此本次涨价在业内较为罕见 。
在这背后,是供需两端的共同作用。供应方面 ,存储厂商预计明年第六代HBM(即HBM4)需求将增加,加大对其产能投入,导致HBM3E产能遭到积压。
需求方面 ,除了英伟达之外,来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。
其中,英伟达H200芯片每颗搭载6颗HBM3E;搭载HBM3E的谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium将于明年开始出货 ,两款产品HBM搭载量均较上一代产品增加约20%至30%,前者每颗搭载8颗HBM3E,后者搭载4颗HBM3E 。
KB Securities指出 ,由于ASIC需求激增,以ASIC为主要客户的三星,2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍,预估将达111亿Gb。且其预计明年HBM市场的营收占比将为HBM4占55%、HBM3E占45%;从明年第三季度起 ,HBM4将快速吸收HBM3E的需求。
值得注意的是,美光在上周的业绩会上,同样对HBM给出了乐观预期 。
公司高管透露 ,公司2026年(日历年)全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议,全部售罄;预计HBM总潜在市场(TAM)将在2028年将达到1000亿美元(2025年为350亿美元),复合年增长率约40%。美光预计2026年资本支出将达200亿元 ,用于支持HBM和1-gamma DRAM供应。
招商证券表示,预计存储产业后续DRAM和NAND资本开支将会持续增长,但对2026年产能助力有限 ,预计2026年DRAM和NAND资本开支分别同比增长14%和5%,但扩产次序还是优先AI高端存储,NAND类相对靠后 。
(文章来源:财联社)
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